MARC details
| 000 -الفاتح |
|---|
| حقل البيانات ثابتة الطول |
07007nam a22006857a 4500 |
| 001 - رقم الضبط |
|---|
| رقم الضبط |
36043 |
| 003 - محدد رقم الضبط |
|---|
| رقم الضبط |
|
| 005 - وقت وتاريخ اخر تعامل مع التسجيلة |
|---|
| رقم الضبط |
20250907113548.0 |
| 008 - عناصر البيانات ثابتة الطول - معلومات عامة |
|---|
| حقل البيانات ثابتة الطول |
250907s2006 -us||||| |||| 00| 0 eng d |
| 010 ## - رقم ضبط مكتبة الكونجرس |
|---|
| رقم ضبط مكتبة الكونجرس |
92026807 |
| 015 ## - رقم الببليوجرافية الوطنية |
|---|
| رقم الببليوجرافية الوطنية |
GB9311379 |
| المصدر |
bnb |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
0306441578 |
| 020 ## - الرقم الدولى المعيارى للكتب |
|---|
| الرقم الدولى المعيارى للكتاب |
9780306441578 |
| 040 ## - مصدر الفهرسة |
|---|
| وكالة الفهرسة الأصلية |
Maqsci73 |
| لغة الفهرسة |
ara |
| وكالة النسخ |
Scip |
| 050 00 - رقم طلب مكتبة الكونجرس |
|---|
| رقم التصنيف |
TK7871.85 |
| رقم المادة |
.L495 1993 |
| 082 74 - رقم تصنيف ديوى العشرى |
|---|
| رقم التصنيف |
621.3815/2 |
| رقم الطبعة |
20 |
| رقم المادة |
SH546 |
| 084 ## - رقم تصنيف آخر |
|---|
| رقم التصنيف |
33.72 |
| مصدر الرقم |
bcl |
| 084 ## - رقم تصنيف آخر |
|---|
| رقم التصنيف |
53.55 |
| مصدر الرقم |
bcl |
| 084 ## - رقم تصنيف آخر |
|---|
| رقم التصنيف |
53.51 |
| مصدر الرقم |
bcl |
| 084 ## - رقم تصنيف آخر |
|---|
| رقم التصنيف |
UP 3050 |
| مصدر الرقم |
rvk |
| 084 ## - رقم تصنيف آخر |
|---|
| رقم التصنيف |
ELT 300f |
| مصدر الرقم |
stub |
| 084 ## - رقم تصنيف آخر |
|---|
| رقم التصنيف |
PHY 685f |
| مصدر الرقم |
stub |
| 084 ## - رقم تصنيف آخر |
|---|
| رقم التصنيف |
RL 55 |
| مصدر الرقم |
blsrissc |
| 100 1# - المدخل الرئيسى - إسم شخصى |
|---|
| الإسم الشخصى |
Li, Sheng S., |
| التواريخ المصاحبة للاسم |
1938- |
| 245 10 - بيان العنوان |
|---|
| العنوان |
Semiconductor physical electronics / |
| بيان المسئوليه |
Sheng S. Li. |
| 264 #1 - PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC. (IMPRINT) |
|---|
| مكان الإنتاج، النشر، التوزيع، الصنع (ت) |
New York : |
| اسم المنتج، الناشر، الموزع، الصانع (ت) |
Plenum, |
| تاريخ الإنتاج، النشر، التوزيع، الصنع، بيان حق النشر (ت) |
�1993. |
| 300 ## - الوصف المادى |
|---|
| التعداد |
xiii, 697 pages : |
| تفاصيل ماديه اخرى للوعاء |
illustrations ; |
| أبعاد الوعاء |
26 cm. |
| 336 ## - نوع المحتوى |
|---|
| مصطلح نوع المحتوى |
text |
| كود نوع المحتوى |
txt |
| المصدر |
rdacontent |
| 337 ## - نوع الوسيط |
|---|
| مصطلح نوع الوسيط |
unmediated |
| كود نوع الوسيط |
n |
| المصدر |
rdamedia |
| 338 ## - نوع الناقل |
|---|
| مصطلح نوع الحامل |
volume |
| كود نوع الحامل |
nc |
| المصدر |
rdacarrier |
| 490 1# - بيان السلسلة |
|---|
| عنوان السلسلة |
Microdevices |
| 504 ## - تبصرة ببليوجرافية |
|---|
| تبصرة ببليوجرافية,الخ |
Includes bibliographical references and index. |
| 505 2# - تبصرة محتويات-الفهرس |
|---|
| تبصرة المحتويات المصاغة |
Ch. 1. Classification of Solids and Crystal Structure. 1.2. The Bravais Lattice. 1.3. The Crystal Structure. 1.4. Miller Indices and the Unit Cell. 1.5. The Reciprocal Lattice and Brillouin Zone. 1.6. Types of Crystal Bindings. 1.7. Defects in a Crystalline Solid -- Ch. 2. Lattice Dynamics. 2.2. The One-Dimensional Linear Chain. 2.3. Dispersion Relation for a Three-Dimensional Lattice. 2.4. Concept of Phonons. 2.5. The Density of States and Lattice Spectrum. 2.6. Lattice Specific Heat. 2.7. Elastic Constants and Velocity of Sound -- Ch. 3. Semiconductor Statistics. 3.2. Maxwell-Boltzmann (M-B) Statistics. 3.3. Fermi-Dirac (F-D) Statistics. 3.4. Bose-Einstein (B-E) Statistics. 3.5. Statistics in the Shallow-Impurity States -- Ch. 4. Energy Band Theory. 4.2. The Bloch-Floquet Theorem. 4.3. The Kronig-Penney Model. 4.4. The Nearly-Free Electron Approximation. 4.5. The Tight-Binding (LCAO) Approximation. 4.6. Energy Band Structures for Semiconductors. 4.7. The Effective Mass Concept. 4.8. Energy Band Structure and Density of States in a Superlattice -- Ch. 5. Equilibrium Properties of Semiconductors. 5.2. Densities of Electrons and Holes in a Semiconductor. 5.3. Intrinsic Semiconductors. 5.4. Extrinsic Semiconductors. 5.5. Ionization Energy of a Shallow Impurity Level. 5.6. Hall Effect, Hall Mobility, and Electrical Conductivity. 5.7. Heavy Doping Effects in a Degenerate Semiconductor -- Ch. 6. Excess Carrier Phenomenon in Semiconductors. |
| 505 8# - تبصرة محتويات-الفهرس |
|---|
| تبصرة المحتويات المصاغة |
6.2. Nonradiative Recombination: Shockley-Read-Hall Model. 6.3. Band-to-Band Radiative Recombination. 6.4. Band-to-Band Auger Recombination. 6.5. Basic Semiconductor Equations. 6.6. Charge-Neutrality Conditions. 6.7. The Haynes-Shockley Experiment. 6.8. Minority Carrier Lifetimes and Photoconductivity Experiment. 6.9. Surface States and Surface Recombination Velocity. 6.10. Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Technique. 6.11. Surface Photovoltage (SPV) Technique -- Ch. 7. Transport Properties of Semiconductors. 7.2. Galvanomagnetic, Thermoelectric, and Thermomagnetic Effects. 7.3. Boltzmann Transport Equation. 7.4. Derivation of Transport Coefficients. 7.5. Transport Coefficients for the Mixed Conduction Case. 7.6. Transport Coefficients for Some Semiconductors -- Ch. 8. Scattering Mechanisms and Carrier Mobilities in Semiconductors. 8.2. Differential Scattering Cross Section. 8.3. Ionized Impurity Scattering. 8.4. Neutral Impurity Scattering. 8.5. Acoustic Phonon Scattering. 8.6. Optical Phonon Scattering. 8.7. Scattering by Dislocations. 8.8. Electron and Hole Mobilities in Semiconductors. 8.9. Hot Electron Effects in a Semiconductor -- Ch. 9. Optical Properties and Photoelectric Effects. 9.1. Optical Constants of a Solid. 9.2. Free-Carrier Absorption Process. 9.3. Fundamental Absorption Process. 9.4. The Photoconductive Effect. 9.5. The Photovoltaic (Dember) Effect. 9.6. The Photomagnetoelectric Effect -- Ch. 10. Metal-Semiconductor Contacts. |
| 505 8# - تبصرة محتويات-الفهرس |
|---|
| تبصرة المحتويات المصاغة |
10.2. Metal Work Function and Schottky Effect. 10.3. Thermionic Emission Theory. 10.4. Ideal Schottky Barrier Contact. 10.5. Current Flow in a Schottky Barrier Diode. 10.6. I-V Characteristics of a Silicon and a GaAs Schottky Diode. 10.7. Determination of Barrier Height. 10.8. Enhancement of Effective Barrier Height. 10.9. Applications of Schottky Diodes. 10.10. Ohmic Contacts -- Ch. 11. p-n Junction Diodes. 11.2. Equilibrium Properties of a p-n Junction Diode. 11.3. p-n Junction Under Bias Conditions. 11.4. Minority Carrier Distribution and Current Flow. 11.5. Diffusion Capacitance and Conductance. 11.6. Minority Carrier Storage and Transient Behavior. 11.7. Zener and Avalanche Breakdowns. 11.8. Tunnel Diode. 11.9. p-n Heterojunction Diodes. 11.10. Junction Field-Effect Transistors -- Ch. 12. Photonic Devices. 12.2. Photovoltaic Devices. 12.3. Photodetectors. 12.4. Light-Emitting Diodes (LEDs). 12.5. Semiconductor Laser Diodes -- Ch. 13. Bipolar Junction Transistor. 13.2. Basic Structures and Modes of Operation. 13.3. Current-Voltage Characteristics. 13.4. Current Gain, Base Transport Factor, and Emitter Injection Efficiency. 13.5. Modeling of a Bipolar Junction Transistor. 13.6. Switching Transistor. 13.7. Advanced Bipolar Transistor. 13.8. Thyristors -- Ch. 14. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors. 14.2. An Ideal Metal-Oxide-Semiconductor System. 14.3. Oxide Charges and Interface Traps. 14.4. The MOS Field-Effect Transistors. |
| 505 8# - تبصرة محتويات-الفهرس |
|---|
| تبصرة المحتويات المصاغة |
14.5. Charge-Coupled Devices -- Ch. 15. High-Speed III-V Semiconductor Devices. 15.2. Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors. 15.3. Modulation-Doped Field-Effect Transistors (MODFETs). 15.4. Heterojunction Bipolar Transistor. 15.5. Hot Electron Transistors. 15.6. Resonant Tunneling Devices. 15.7. Transferred-Electron Devices. |
| 650 #0 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Semiconductors. |
| 650 #0 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Solid state physics. |
| 650 #2 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Semiconductors |
| 650 #6 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Semi-conducteurs. |
| 650 #6 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Physique de l'�etat solide. |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
semiconductor. |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
aat |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Semiconductors. |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
fast |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Solid state physics. |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
fast |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Festk�orperphysik |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
gnd |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Halbleiter |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
gnd |
| 650 17 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Halfgeleiders. |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
gtt |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Physique de l'�etat solide. |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
ram |
| 650 #7 - المدخل الاضافى بالموضوع-مصطلح موضوعى |
|---|
| مصطلح موضوعي أو اسم جغرافي كعنصر مدخل |
Semiconducteurs. |
| مصدر الرأس أو المصطلح |
ram |
| 653 0# - مصطلح تكشيفى غير مقيد |
|---|
| مصطلح غير مقيد |
Semiconductors |
| 776 08 - مدخل الشكل المادى الاضافى |
|---|
| نص العرض |
Online version: |
| رأس المدخل الرئيسي |
Li, Sheng S., 1938- |
| العنوان |
Semiconductor physical electronics. |
| الناشر و مكان و تاريخ النشر |
New York : Plenum, �1993 |
| رقم ضبط التسجيلة |
(OCoLC)645858124 |
| 830 #0 - المدخل الاضافى بالسلسلة -عنوان موحد |
|---|
| عنوان موحد |
Microdevices. |
| 856 41 - الوصول و الموقع الالكترونى |
|---|
| مواد محددة |
Table of contents |
| معرف المصدر الموحد |
http://catdir.loc.gov/catdir/enhancements/fy1006/92026807-t.html |
| 856 41 - الوصول و الموقع الالكترونى |
|---|
| مواد محددة |
Table of contents |
| معرف المصدر الموحد |
http://www.gbv.de/dms/bowker/toc/9780306441578.pdf |
| 856 41 - الوصول و الموقع الالكترونى |
|---|
| مواد محددة |
Table of contents |
| معرف المصدر الموحد |
http://www.gbv.de/dms/ilmenau/toc/110350456.PDF |
| 856 42 - الوصول و الموقع الالكترونى |
|---|
| مواد محددة |
Publisher description |
| معرف المصدر الموحد |
http://catdir.loc.gov/catdir/enhancements/fy1006/92026807-d.html |
| 910 ## - بيانات اختيارية للمستخدم |
|---|
| User-option data |
SHIREEN FALAH HASAN |
| 942 ## - عناصر المدخل الإضافي( كوها) |
|---|
| مصدر التصنيف او مخطط الترفيف |
Dewey Decimal Classification |
| Koha [default] item type |
كتاب |
| 948 ## - معلومات معالجة محلية جزء السلاسل(OCLC); DESIGNATOR (RLIN) |
|---|
| h (OCLC) |
NO HOLDINGS IN IQMCL - 216 OTHER HOLDINGS |
